射频ATE智能测试系统 自主研发AI与ATE测试系统深度融合技术,突破传统测试设备数据封闭、程序固化、经验依赖的局限,构建核心AI应用能力
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射频测试系统界面

可实时动态显示当前UPH,测试数量,测试良率 

可显示当前测试器件坐标信息,Lot ID,Wafer ID

支持图表化by wafer显示UPH, 合格颗数,不合格颗数与合格率

可监控测试记录详细时间

支持自定义扎针驻留时间,保证测试稳定性

良率统计及离线数据复测

良率统计功能(SYL/SBL)

统计监控批次良率,在出现异常时自动报警或停机,以防止大规模质量事故。

离线数据复测(选配)

根据新的测试指标,对已完成测试的晶圆RAW Data进行离线复测,按新规则重新计算良率。

方案优势 基于AI机器学习与设备物理机理驱动的厂务智能体,围绕暖通节能优化、厂务智能运维、半导体附属设备管理、数字孪生基座四大核心能力,实现厂务运营从被动响应到主动预测与优化的范式变革。
AI智能探针接触监测 实时识别接触异常并动态优化清针策略;
Wafer Map智能分析 自动识别异常模式并定位良率损失根因;
测试程序自动生成 基于低代码与大模型技术大幅提升开发效率;
测试误判智能识别 精准区分真实失效与测试异常,有效降低过杀率。
射频ATE智能测试系统示意图
方案应用
应用1:AI智能探针接触状态监测系统
技术原理
预期目标效果

多模态接触异常识别:基于时序深度学习模型,融合S参数、扎针高度、针痕图像等多源数据,构建接触状态特征库,识别正常接触、轻微/严重接触不良、探针磨损、Pad污染等工况。


强化学习智能清针决策:以探针寿命、测试良率与效率为奖励函数,采用深度强化学习,依据历史清针数据、磨损趋势、接触异常频次及晶圆工艺波动,动态输出最优清针时机与次数。

接触异常识别准确率≥90%


探针使用寿命延长 10%-20%,清针耗时占比降低 20% 以上


实现接触状态全闭环管控,减少 80% 以上的人工干预频次


实现“实时接触状态检测→异常分级→轻度异常触发动态清针→严重异常停机报警”的闭环控制

应用2:Wafer Map智能分析与AI良率预测根因分析
技术原理
预期目标效果

异常模式识别:

对 Wafer Map 良率热力图、S 参数分布数据进行多模态特征提取,自动分类识别常见异常模式,精准区分测试系统导致的异常与晶圆工艺导致的异常


根因分析:

构建全流程良率影响因子知识图谱,融合晶圆制造工艺、测试、环境数据,通过图神经网络挖掘良率异常与影响因子的关联关系,精准定位根因并输出优化建议


时序良率预测:

基于时序融合模型,根据输入工艺参数、测试数据、环境数据,预测晶圆最终良率,提前识别良率风险批次

Wafer Map 异常模式识别准确率≥90%,测试与器件异常区分准确率≥95%,替代 80% 以上的人工分析工作


良率异常根因定位周期大幅缩短,根因定位准确率≥90%


良率预测准确率≥90%,提前识别良率风险批次,减少不良品流出,降低质量成本


实现测试数据与 Fab 工艺数据的闭环联动,为产品设计、工艺优化提供数据驱动的决策依据

应用3:AI 驱动的测试程序自动生成与低代码开发
技术原理
预期目标效果

测试程序自动生成:

基于射频测试领域大语言模型,结合检索增强生成技术,构建包含产品测试标准、Test Plan模板、网分程控指令、机台控制API的领域知识库,用户输入产品型号、测试指标、频段范围,即可自动生成测试程序代码、config 配置文件、测试流程文档

新器件测试程序开发周期缩短至小时级,开发效率提升 90% 以上


测试程序bug率降低 80% 以上,程序稳定性与一致性大幅提升


开发低代码可视化界面,非资深工程师可快速完成测试程序开发与调试,降低技术门槛

应用4:AI 驱动的测试误判智能识别与过杀优化
技术原理
预期目标效果

异常模式分类:

基于半监督对比学习模型,对 S 参数全曲线、时域数据、环境数据、设备状态数据进行多模态特征提取,精准区分真实器件失效、测试系统异常的数据(接触不良、噪声、干扰)、合格器件正常数据


临界器件复检:

针对异常模式中临界器件,通过强化学习模型自动决策最优复检方案(更换 site 测试、清针后复测等),进一步确认器件真实性能,减少临界器件误判

测试异常与真实失效分类准确率≥90%,测试系统导致的过杀率降低50%以上,产品良率提升2%-5%


临界器件复检准确率≥99%,漏测率≤0.01%,在降低过杀率的同时保证出货质量


大幅减少失效分析工作量,降低质量成本与物料浪费


实现 “测试数据采集→AI 实时分类→测试异常自动触发复检→真实失效正常分Bin” 全流程闭环